OC pamięci 4x8 gb Micron E-die R5 5600X B550

[Jacob7 3]

Cześć,

 

Do swojego zestawu 2x8 gb dokupiłem drugi komplet 2x8 gb również Micron E-die. Dla 2 kości udało się ustabilizować na 3800 16-19-16-28 580.

W jaką prędkość celować przy 4 kościach? Macie jakieś porady, które parametry będą kluczowe dla stabilizacji  4 modułów?

Kalkulator pod ram nie uwzględnia Zen3, można wybrać Zen/Zen2 czy mogę pod uwagę te nastawy dla Zen3?

3 lata temu sporo dłubałem przy ramie ale wypadłem z wprawy.

 

Z góry dziękuje za pomoc  

[daniell9 1]

Przy 4 modułach zazwyczaj trzeba trochę zejść z częstotliwością, bo kontroler pamięci w Zen 3 będzie miał większe wyzwanie przy obsłudze całego zestawu. Dobrze celować w okolice 3600–3733 MHz z napięciami i timingami dopasowanymi do Twoich kości

[Send1N 4 153]

Teoretycznie tak lecz w praktyce niekoniecznie  4x8 patriotów na samsungach b-die ustabilizowałem na 3800mhz jeszcze przy ryzenie 3700x, później tylko przepisywałem ten sam nastaw aż po dzień dzisiejszy na 5600x i 5800x3d, obecnie lata 4x8 dokładnie 3820mhz cl15 (po lekkiej zabawie z bclk) na napięciu 1.44v bo na wyższym się wywalają od temperatury i tutaj trzeba uważać, w konfiguracji 2x8 tych patriotów mogłem pozwolić sobie nawet na 1.55v bez dodatkowego nawiewu i działało bez problemu przez prawie 2 lata, po dołożeniu drugiego zestawu 2x8 trzeba było ostro zejść z napięcia i poluzować rezygnując z 14-15-14 na koszt 15-16-15 ale taktowanie zostało to samo, 4 moduły obok siebie to najgorsza możliwa konfiguracja jeżeli chodzi problemy z przegrzewaniem  Często jest tak że ludzie podbijają napięcie w opór przy obsadzonych 4 bankach bo test po czasie zaczyna pluć błędami bez rezultatu i się poddają a problemem jest najczęściej temperatura, zamiast go podbijać trzeba zejść z napięcia niżej niż miało się na 2 ławkach i wtedy próbować na luźniejszych timingach.